1.其內(nèi)部只不過(guò)是一串串極為普通的金屬線和晶體管，但外觀上卻使人不敢等閑視之。

2.結(jié)晶裝置，結(jié)晶方法，薄膜晶體管的制造方法、薄膜晶體管和顯示裝置。

3.隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,電子產(chǎn)品的尺寸越來(lái)越小,晶體管集成度越來(lái)越高,單個(gè)晶體管的尺度也越來(lái)越小,由尺寸效應(yīng)等導(dǎo)致的量子效應(yīng)也越來(lái)越明顯。

4.介紹了用萬(wàn)用表檢測(cè)集成電路塊和單結(jié)晶體管的方法。

5.從微波晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管管芯的單向化模型出發(fā),給出了對(duì)微波寬帶放大器的不等波紋函數(shù)型阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)綜合方法.

6.隨著單個(gè)晶體管尺度越來(lái)越小,晶體管集成度越來(lái)越高,電子產(chǎn)品的尺寸也越來(lái)越小。

7.而不需要向硅通道注入大量混合物的鰭式場(chǎng)效晶體管,被業(yè)界認(rèn)為可以替代以往的平面晶體管,從而既抑制晶體管特性的參差不齊,又可實(shí)現(xiàn)SRam元件的小型化。

8.采用多晶硅發(fā)射區(qū)和基區(qū)重?fù)诫s技術(shù)，獲得了可與cmoS結(jié)構(gòu)兼容，基區(qū)電阻較小的硅低溫雙極晶體管。

9.本文根據(jù)晶體管非線性元件的特點(diǎn)，利用數(shù)學(xué)推導(dǎo)方法，從基礎(chǔ)上分析了變頻工作嘯叫的原因，并提出了消除方法。

10.其內(nèi)部只不過(guò)是一串串極為普通的金屬線和晶體管，但外觀上卻使人不敢等閑視之。